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备穿透雾霾和在黑夜中清晰成像的能力,并可识别不同物质的材质特征,在暗光拍照、自动驾驶、工业无损检测等领域具有广泛应用前景。然而,长期以来主流的铟镓砷探测方案虽性能优异,却依赖昂贵的磷化铟衬底,且与硅基 CMOS 工艺不兼容,单颗芯片成本高达数百至数千美元,应用场景多局限于军工和高端科研。胡辉勇团队选择了与现有半导体产业链高度契合的硅锗技术路线,利用硅锗外延工艺平台完成材料生长,再借助标准硅基 CM

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发布时间:02:25:40


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